不得不看，半導(dǎo)體材料檢測詳細(xì)分析
作者：發(fā)布時間 : 2020-10-16 類型：權(quán)威檢測標(biāo)簽： 認(rèn)證證書隨著以美國為首的西方勢力對中國半導(dǎo)體材料的技術(shù)制約。半導(dǎo)體材料行業(yè)開始發(fā)揚(yáng)國產(chǎn)國造，自助更生的“南泥灣精神”，朝著精細(xì)化、 高端化、尖端化自給自足的方向發(fā)展。半導(dǎo)體材料檢測是對半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)進(jìn)行分析測試的技術(shù)。由于半導(dǎo)體材料種類繁多，加工工藝復(fù)雜，形態(tài)各異，技術(shù)難度高，這就需要我們通過對半導(dǎo)體材料的特性參數(shù)進(jìn)行測定，真實的反映半導(dǎo)體材料質(zhì)量情況，掌握其關(guān)鍵參數(shù)的生成工藝，從而指導(dǎo)研發(fā)技術(shù)的更新迭代。
一、 常見半導(dǎo)體材料檢測種類
1、濕電子化學(xué)品檢測種類
(1) 酸堿類:高純鹽酸、高純硫酸、高純硝酸、高純氫氟酸、高純冰Z酸、高純草酸、電子級復(fù)水、電子級過氧化氫、氫氧化鉀溶液、氫氧化鈉溶液、電子級磷酸;
(2)蝕刻類:鋁腐蝕液、鉻鷹蝕液、鎳銀腐蝕液、硅腐蝕液、金蝕刻液、銅蝕刻液、顯影液、剝離液、清洗液、ITO蝕刻液、緩釋劑、BOE;
(3) 溶劑類:甲醇、乙醇、丙醇、丙酮、四甲基氫氧化銨、甲苯、二甲苯、三氯乙烯、環(huán)已烷、N-甲基吡略烷酮、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚醋酸酯等;
2、光刻膠及配套試劑檢測種類
光刻膠、負(fù)膠顯影液、負(fù)膠漂洗液、負(fù)膠顯影漂洗液、正膠顯影液正膠稀釋劑、邊膠清洗劑、負(fù)膠剝離液、正膠剝離波等;
3、電池材料檢測種類
(1)負(fù)極材料:碳材料、非碳負(fù)極材料、石墨負(fù)極材料、鋰電池負(fù)極材料、硅負(fù)極材料、鋰離子負(fù)極材料、硅碳負(fù)極材料、碳素負(fù)極材料、瀝青負(fù)極材料等;
(2)正極材料:鉆酸鋰、錳酸鋰、磷酸鐵鋰、三元材料、鎳，鈷，錳酸鋰、鎳錳酸鋰、正極材料鎳鈷錳酸鋰等;
(3)電解液:鋰離子電池用電解液、鋰原電池用電解液、六氟磷酸鋰、六氟磷酸鋰電解液等;
(4)電池/電解液添加劑:成膜添加劑、導(dǎo)電添加劑、阻燃添加劑、過充保護(hù)添加劑、改善低溫性能的添加劑、多功能添加劑等;
(5) 電池隔膜:鋰電池隔膜、高性能電池隔膜、電池陶瓷隔膜等;
4、電子元器件化學(xué)品檢測種類
硝酸鉍、硫酸鋁、硝酸鋁、硝酸鉀、溴化鈣、重鉻酸銨、重絡(luò)化鉬、氯化鍶、三氯化梯、磷酸、硅酸鉀鈉、(硅鋁、 硫酸鎂、硝酸銅、硝酬鍶、氟化氫銨、碳酸鋇、氧化銷、氟化鎂、銻酸鈉、氧化鎵、氧化銦等;
5、電子工業(yè)用氣體檢測種類
甲烷、三氯化硼、三氧化氮、六氟化硫、八氧環(huán)丁烷、六氟乙烷、四氟化碳、氯化氫、一氧化碳、笑氣、硅烷等;
6、印刷電子化學(xué)品檢測種類
印刷線路板材料及配套化學(xué)品、電子油墨、絲網(wǎng)印刷材料等;
7、電子膠類檢測種類
SMT貼片紅膠、LED貼片硅膠、UV膠、AB膠、填充膠、密封膠、導(dǎo)電銀膠、硅膠等;
8、電子級水檢測種類
超純水、純化水等;
9、其他電子材料檢測種類
CMP拋光材料、靶材、導(dǎo)電錄合物、液晶聚合物、聚酯薄膜、抗靜電材料、抗蝕劑、封裝材料、LED/OLED材料、 發(fā)光材料、光學(xué)薄膜、平板膜、TFT-LCD面板及 模組構(gòu)成材料、電子紙、硅材料、太陽能電池膜等;
二、導(dǎo)體材料檢測項目
半導(dǎo)體材料檢測的常見性能參數(shù)主要為電學(xué)性能、光學(xué)性能、限用物質(zhì)等的檢測。電學(xué)性能主要檢測電阻率、爾系數(shù)、磁阻等性能;光學(xué)性能主要檢測器光電導(dǎo)、光吸收等性能。而半導(dǎo)體材料的關(guān)鍵性能檢測指標(biāo)主要為禁帶寬度、電阻率、載流子遷移率(載流子即半導(dǎo)體中參加導(dǎo)電的電子和空穴)、非平衡載流子壽命、位錯密度等。除此之外，我們還可以檢測其雜質(zhì)含量、雜質(zhì)缺陷能級等來了解材料的純度、補(bǔ)償度。通過X射線、金相分析來了解半導(dǎo)體材料晶體結(jié)構(gòu)的層錯、位錯密度、夾雜和孿晶等情況。
三、將體材料檢測方法
目前半導(dǎo)體材料檢測分析的重點(diǎn)逐漸轉(zhuǎn)向?qū)Π雽?dǎo)體薄膜，特別是 薄膜的表面、異質(zhì)結(jié)界面性質(zhì)研究和對薄膜材料的組甜和結(jié)構(gòu)分析。新型測試分析方法如結(jié)電容技術(shù)，激光光譜技術(shù)，俄歇電子能譜、二次離子質(zhì)譜和電子顯微分析技術(shù)等的建立與不斷完善，為深入研究雜質(zhì)和缺陷在半導(dǎo)體材料中的行為、雜質(zhì)與缺陷相互作用、湎、界面質(zhì)量、混晶組份以及結(jié)梅缺陷等提供了有力手段，促進(jìn)了半導(dǎo)體材料及物理學(xué)的發(fā)展。
所以，費(fèi)爾檢測總結(jié)對于半導(dǎo)體原位檢測，其光學(xué)性能、電學(xué)性能以及結(jié)構(gòu)參數(shù)，我們可以x射線法、雙晶衍射法、盧瑟福背散射和溝道技術(shù)、高分辨電鑲和斷面電子遺鏡顯微技術(shù)、帶間吸收光譜法、光致發(fā)光和光激發(fā)光譜法、子帶阿拉晏散射光譜法、磁光吸收和振蕩技術(shù)等加以鑒定。而耐于大規(guī)模集成電路、超高頻晶體管制備，一般都是采用在線檢測技術(shù)， 從而保證產(chǎn)品的成品率。而對于微米級、納米級尺寸的半導(dǎo)體材料，一般建議采用掃描光致發(fā)光系統(tǒng)或激光掃描形貌法來檢測。 對于需要面對極低溫、強(qiáng)磁場、高壓極端試驗條件的半導(dǎo)體材料的雜質(zhì)或缺陷檢測，我們推薦使用光熱離譜技術(shù)、管探測磁共振、電子核子雙磁共振技術(shù)來測定。
